تسريبات تشير إلى أن رقاقة Snapdragon 895 قد ترتكز على دقة 4 نانومتر

أشارت أحدث التسريبات اليوم إلى أن كوالكوم قد تطور رقاقة معالج Snapdragon 895 القادمة بعملية تصنيع ترتكز على دقة 4 نانومتر.

كانت شركة كوالكوم قد قدمت Snapdragon 865 بعملية تصنيع N7P من TSMC المميزة بالجيل الثاني من دقة تصنيع 7 ناومتر، بينما إتجهت كوالكوم إلى عملية تصنيع سامسونج في Snapdragon 888، كما ارتكز معالج Snapdragon 888 Plus الجديد أيضاً على عملية تصنيع سامسونج بدقة 5 نانومتر.

وفي تقرير نشر من Ice Universe كُشِف عن أن الجيل القادم من رقاقات كوالكوم Snapdragon 895 يأتي بعملية تصنيع سامسونج بدقة 4 نانومتر، بينما تأتي الترقية في نهاية العام المقبل Snapdragon 895 Plus بعملية تصنيع TSMC بدقة 4 نانومتر.

وتعد عملية تصنيع سامسونج  وTSMC المميزة بدقة 4 نانومتر، ترقية لعملية التصنيع الحالية بدقة 5 نانومتر، ومن المقرر أن تدعم الشرائح المميزة بدقة تصنيع 4 نانومتر تحسينات في الآداء، مع إستهلاك أقل للطاقة.

أيضاً من المتوقع أن تتبع كوالكوم الجدول الزمني ذاته الذي أطلقت فيه الرقاقات الجديدة هذا العام، لذا من المتوقع أن يتم الكشف عن رقاقة Snapdragon 895 ما بين شهري ديسمبر ويناير، بينما تنطلق Snapdragon 895 Plus في حدث يعقد في النصف الثاني من العام المقبل.

المصدر

ليست هناك تعليقات